联华电子(umc)宣布该公司已开发出特殊间隙壁工艺(ultimate spacer process；usp)的应变硅技术，可同时提升n型及p型金氧半晶体管的效能。采用此特殊间隙壁工艺技术，可使n型金氧半晶体管的驱动电流提高15%，p型金氧半晶体管驱动电流提高7%，同时仍维持整体工艺的简易性。
umc表示，该项技术在结合硅基材信道工程时，更能大幅提高p型金氧半晶体管驱动电流达35%。此外，该特殊间隙壁工艺应变硅新技术也已在客户fpga产品上验证其效果，在相同的产品良率与可靠性质量下，已可成功增进客户产品15%电路效能，因此也将可应用在65奈米及以下之先进工艺量产使用。
