“闪存万岁！”这是日前召开的闪存峰会上传出的信息。semiconductor insights inc.内存部门的技术经理geoff macgillivary认为，闪存特别是nand至少还能发展三代，从而在可预见的将来并不需要通用存储(universal memory)技术。
geoff macgillivary表示，“nand闪存技术至少能够发展到20纳米的“半间距”(half-pitch)节点。这样就推迟了人们对feram、mram和oum等通用存储的需求。通用存储是用于取代闪存的，但该技术目前的发展并没有兑现其承诺。”他指的是最近飞思卡尔关于mram出货情况的声明。geoff macgillivary指出，“飞思卡尔的mram似乎不会与闪存针锋相对，我认为他们说的是嵌入领域。”
oum(ovonic unified memory)也被称为相变存储器(phase-change memory)。有一位分析师认为，oum技术10年内不会实现商业化。geoff macgillivary表示，feram将拥有一席之地，但似乎没有达到人们的期望水平。
