许多内存厂商都在加紧扩大nand闪存业务，德国英飞凌却在这一领域表现落后，很可能错失这一市场机会。“我们认为自己是dram领域中的领先者，”英飞凌内存产品业务副总裁bernd lienhard表示，“而在nand市场，我们是追随者，我们处于追赶状态。” 英飞凌目前正在扩大1g nand闪存的产量，采用的是从以色列saifun semiconductors ltd.获得授权的技术。虽然英飞凌仍在从事这一市场，但该公司把更多的注意力投向了dram，将整个内存部门分拆出去的计划宣布已久，而以何种方式分拆尚未尘埃落定。
“我们的焦点放在dram、dram, 还是dram。”lienhard在采访中如此表达，“今年，我们誓在成为全球最好的dram供应商。”据市场调研公司gartner的数据统计，英飞凌在2005年是全球第四大dram供应商，排名位于三星电子、海力士半导体(hynix)、美光(micron)之后。而从isuppli统计的数据来看，英飞凌2005年在nand闪存市场中的排名从第五位下降到了第七位。英飞凌似乎正错失nand市场。由于市场对mp3播放器、usb闪存驱动和其它产品的巨大需求，nand闪存市场正在迅猛增长。英飞凌的dram对手，如hynix、美光和三星，都正在从nand市场中受益。但是，英飞凌在最新一代产品中，从170纳米跳到了110纳米。将来该公司计划把它的nand生产从110纳米转向70纳米，从而越过了90纳米这一代。
