英特尔近日宣布，准备推出128-mbit相变内存(phase-change memory)样片，今年下半年将采用90纳米技术进行批量生产。
这种称为alverstone的产品是intel的第一种相变内存产品，是与nor兼容的替代产品。目前英特尔是仅次于spansion公司的第二大nor闪存制造公司。英特尔公司首席技术官justin rattner表示，该产品比目前的nor闪存的写入性能高5倍，至少可写入一百万次。
作为替代dram和闪存的下一代内存产品，相变内存也有许多竞争对手，如feram和mram。这种非易失性内存技术基于硫族化物(chalcogenide)的电导(electrically induced)相变，非常难达到可靠的量产阶段。
rattner指出，英特尔将128-mbit相变内存的目标定位为替代nor闪存。intel将继续优化相变内存的量产工艺。
去年夏季英特尔开始与stmicroelectronics nv一期开发相变内存，而stmicro将采用45纳米工艺技术。
