英特尔公司推出了128mb的相变存储器样片，并计划于今年下半年采用90nm技术进行量产。该器件代号为alverstone，是英特尔的首款相变存储器，并被视为nor闪存的替代品。英特尔是全球第二大nor闪存供应商,仅次于spansion公司。
英特尔首席技术官justin rattner表示，该器件的“写”性能比目前的nor闪存强六倍，且更具“鲁棒性”，能保证至少1百万次的写循环。
这种非易失性存储技术是基于硫族材料的电致相变，以前在批量生产时总是难以获得稳定性。相变材料可呈现晶态和非晶两种状态，分别代表了0和1，只需施加很小的复位电流就可以实现这两种状态的切换。
相变存储器的缩写为pcm或pram，与其相竞争的下一代存储替代技术有很多，其中包括磁性ram(mram)。一旦dram和闪存遇到无法超越的工艺缩小极限，这些技术就将成为它们的替代品。许多技术专家认为闪存可能在45或35nm时达到极限。
但这些下一代存储技术仍存在不确定因素，比如mram在密度方面就不够完美，目前芯片容量大约在16mb左右，idc公司半导体分析师celeste crystal表示。“英特尔128mb pcm技术的发布具有十分重要的意义，它表明了pcm的密度不久就能满足目前的应用需求。而且我听说它向后兼容nor插槽。今后我们关注的是英特尔是否能顺利完成它的计划。”她指出。
一般手机采用的是256mb的分立式nor闪存，在成本敏感的手机中也可能是128mb。rattner认为，英特尔将目前的128mb产品只作为nor替代品的目标是“非常恰当的”。但他同时补充道：“该产品确实展示了相变技术的性能潜力。”
闪存发展仍有前途
现在就肯定哪种存储器会代替闪存还为时过早，objective analysis公司首席闪存分析师jim handy表示，“虽然pram、mram、fram(铁电ram)等所有这些技术都被吹嘘成闪存达到工艺极限时的替代品，但闪存的工艺极限仍然在不断缩小。”
handy相信，在闪存达到极限之前，这些技术都将继续相互追赶。
rattner指出，英特尔不仅将这个第一代器件视为一种产品，而且是作为精细相变存储器量产进程的一种途径。“如果pcm能得到大批量和低成本的制造，那么它必将引发人们对存储器结构的重新思考。”他认为，“pcm肯定比dram便宜，如果它也能作为一种非易失性的快速读写存储器，那么势必将成为极有竞争力的dram替代品。”
去年夏天，英特尔开始与意法半导体合作开发相变存储器。两家公司在vlsi技术大会上曾联合提交了相关研究报告。虽然英特尔在量产方面走在了前头，但意法半导体则计划在实现45nm工艺节点之前不进行量产。意法半导体目前已拥有采用90nm工艺技术的128mb样品。
