中国上海,2023年5月18日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量,以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性,同时要求MOSFET小巧纤薄,且具有更低的导通电阻。
SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺,已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先[1]的低导通电阻特性实现了低功耗,而业界领先[1]的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外,新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701(2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。
东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。
- 应用
- 家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备,包括智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机、数码单反相机等。
- 特性
- 业界领先的[1]低导通电阻:RSS(ON)=1.1mΩ(典型值)@VGS=3.8V
- 业界领先的[1]低栅源漏电流:IGSS=±1μA(最大值)@VGS=±8V
- 小型化超薄TCSPED-302701封装:2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)
- 共漏极结构,可方便地用于电池保护电路
- 主要规格
(除非另有说明,Ta=25℃)
器件型号 | SSM14N956L | SSM10N954L[2] | ||
配置 | N沟道共漏极 | |||
绝对最大额定值 | 源极-源极电压VSSS(V) | 12 | ||
栅极-源极电压VGSS(V) | ±8 | |||
源极电流(DC)IS(A) | 20.0 | 13.5 | ||
电气特性 | 栅源漏电流IGSS 最大值(μA) | @VGS=±8V | ±1 | |
源极-源极导通电阻RSS(ON) 典型值(mΩ) | @VGS=4.5V | 1.00 | 2.1 | |
@VGS=3.8V | 1.10 | 2.2 | ||
@VGS=3.1V | 1.25 | 2.4 | ||
@VGS=2.5V | 1.60 | 3.1 | ||
封装 | 名称 | TCSPED-302701 | TCSPAC-153001 | |
尺寸典型值(mm) | 2.74×3, 厚度=0.085 | 1.49×2.98, 厚度=0.11 | ||
库存查询与购买 | 在线购买 | 在线购买 |
注:
[1] 截至2023年5月的东芝调查,与相同额定值的产品进行比较。
[2] 已发布产品。
如需了解有关新产品的更多信息,请访问以下网址:
SSM14N956L
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SSM14N956L
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