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东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管
电子基础知识

东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管

  东京—东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布面向超低功率微...
2020年02月17日  东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管已关闭评论
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东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列
电子基础知识

东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列

  通过采用DMOS FET 型输出驱动器来扩大高效晶体管阵列阵...
2020年02月17日  东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列已关闭评论
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台积电采用Cadence的FinFET单元库特性分析解决方案
电子基础知识

台积电采用Cadence的FinFET单元库特性分析解决方案

  • 输出单元库符合台积电对16纳米FinFET STA关联性...
2020年02月17日  台积电采用Cadence的FinFET单元库特性分析解决方案已关闭评论
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Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET 电子基础知识

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 10 月9 日...
2020年02月17日  Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET已关闭评论
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英飞凌推出革命性的1200V碳化硅(SiC)MOSFET技术 助力电源转换设计提升效率和性能 电子基础知识

英飞凌推出革命性的1200V碳化硅(SiC)MOSFET技术 助力电源转换设计提升效率和性能

  英飞凌推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术,使产品设...
2020年02月17日  英飞凌推出革命性的1200V碳化硅(SiC)MOSFET技术 助力电源转换设计提升效率和性能已关闭评论
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详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程 电子基础知识

详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程

  逆变器,别称为变流器、反流器,是一种可将直流电转换为交流电的...
2020年02月17日  详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程已关闭评论
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详解mos管原理及几种常见失效分析 电子基础知识

详解mos管原理及几种常见失效分析

  mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(...
2020年02月17日  详解mos管原理及几种常见失效分析已关闭评论
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一文读懂场效应管的分类、结构以及原理 电子基础知识

一文读懂场效应管的分类、结构以及原理

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写...
2020年02月17日  一文读懂场效应管的分类、结构以及原理已关闭评论
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场效应管原理简析,场效应管的分类与参数 电子基础知识

场效应管原理简析,场效应管的分类与参数

  场效应晶体管(Field Effect Transistor...
2020年02月17日  场效应管原理简析,场效应管的分类与参数已关闭评论
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场效应管工作原理和场效应管如何分类 电子基础知识

场效应管工作原理和场效应管如何分类

   场效应管工作原理    MOS场效应管...
2020年02月17日  场效应管工作原理和场效应管如何分类已关闭评论
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