中国北京(2026年5月19日)—— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码:603986.SH;3986.HK)宣布推出三款全新三相无刷电机专用栅极驱动器——GD30DR1001、GD30DR1401以及GD30DR1901。产品精准覆盖了40V/120V/600V主流电压平台,凭借高集成度、强驱动能力及卓越的可靠性,为消费电子、家用电器、电动工具及工业设备提供一站式电机驱动解决方案。该新产品的发布,进一步扩充了兆易创新的电机驱动芯片版图,有利于打造更紧凑、更高效、更稳定的电机控制系统。

覆盖多电压平台,精准匹配应用需求
随着智能设备、电动工具及工业自动化对电机控制性能要求的不断提升,系统设计正面临更高的效率、可靠性与集成度挑战。兆易创新此次推出的三款模拟器件均基于三相独立半桥架构,兼容3.3V/5V逻辑输入,支持直接驱动MOSFET或IGBT功率器件,在简化系统设计的同时,有效降低整体BOM成本和开发复杂度。
- GD30DR1001是一款驱动P/N MOSFET功率管40V三相栅极驱动芯片,工作电源电压5.5V~40V,兼容3.3V/5V输入逻辑,集成5V LDO带载电流50mA,可为芯片内部逻辑和外部MCU供电。芯片内部集成欠压保护/输入直通保护等多种保护功能,内置60ns死区时间,并采用高度集成的SOP16/QFN16封装。该型号适用于落地风扇、空气净化器、小型泵阀等直流无刷电机应用。
- GD30DR1401是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动芯片,专为驱动双N型沟道高压MOSFET功率管或GaN而设计,悬浮偏移电压+120V,兼容3.3V/5V输入逻辑,集成5V LDO带载电流100mA以及12V的控制电路,输出电流能力IO+2.0A/-2.5A。内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能。该型号适用于服务器风机、民用无人机、电动工具、园林工具、清洁电器、厨房电器等应用。
- GD30DR1901同样集成了三个独立的半桥栅极驱动芯片,可驱动双N型沟道高压MOSFET功率管或IGBT,悬浮偏移电压+600V,兼容3.3V/5V输入逻辑,集成5V LDO带载电流50mA,内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能。该型号适用于个人护理、白色家电、工业变频器、高压风机/水泵、光伏逆变等应用。
兼顾集成度、可靠性与易用性的设计优势
GD30DR1001/GD30DR1401/GD30DR1901系列在架构设计与功能集成层面进行了系统性优化。通过在单芯片内整合关键功能模块,并引入完善的保护机制与标准化接口,该系列在简化系统设计的同时,进一步提升整体运行稳定性与开发效率。
- 高集成架构,简化系统设计
单芯片内集成LDO、死区控制及多种保护功能,部分型号内置自举二极管,有效减少外部二极管、分立电阻及稳压器件的使用。这一高度集成的设计不仅降低了BOM成本,同时显著简化PCB布局,提高系统紧凑性与整体可靠性。
- 多重保护机制,提升系统鲁棒性
器件内置完善的保护功能,包括欠压锁定(UVLO)、功率管直通防护以及LDO短路保护等,可有效避免低压驱动、上下管直通带来的潜在风险。结合–40°C至+125°C的宽工作温度范围,使其能够在高温及高电磁干扰环境下保持长期稳定运行,满足工业级应用需求。
- 标准化接口设计,加速系统开发
支持3.3V/5V逻辑输入接口,可直接与兆易创新GD32 MCU等主流微控制器连接,便于构建“MCU+Driver”的完整电机控制方案。标准化的接口与驱动架构有助于降低设计门槛,缩短开发周期,加快产品导入与量产进程。
目前,GD30DR1001/GD30DR1401/GD30DR1901已全面开放样品申请并实现量产,全系列采用标准卷带封装形式,支持自动化生产需求,可助力客户快速实现产品落地、抢占市场先机。
关于兆易创新(GigaDevice)
兆易创新科技集团股份有限公司(股票代码 603986.SH、3986.HK)是全球领先的Fabless芯片供应商,公司成立于2005年4月,集团总部设于中国北京,在全球多个国家和地区设有分支机构,营销网络遍布全球,提供优质便捷的本地化支持服务。兆易创新致力于构建以存储器、微控制器、传感器、模拟产品为核心驱动力的完整生态,为工业、汽车、计算、消费电子、物联网、移动应用以及通信领域的客户提供完善的产品技术和服务,已通过ISO26262:2018汽车功能安全最高等级ASIL D体系认证,并获得IEC 61508功能安全产品认证以及ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001等体系认证和邓白氏认证。同时,公司与多家世界知名晶圆厂、封装测试厂建立战略合作伙伴关系,共同推进半导体领域的技术创新。欲了解更多信息,请访问:www.gigadevice.com.cn。
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