(华强电子世界网独家报道) 有数字表明，整个闪存市场2003年预计将增长42%，2004年预计将增长36%。闪存供不应求,价格直线上涨，不少oem生产商都借机提高产品的价格，以间接消化闪存的成本费用。但尽管如此，人们对闪存的需求还是有增无减。
三星电子的nand闪存芯片占其全部内存芯片销售的三分之一。三星电子发言人kevin jung称：“今年第3季度需求一直在爆炸性地增长。闪存芯片短缺的局面预计将持续到2004年上半年。我们正在稳步提高产量，但是，暂时还很难满足需求”。他补充说，手机厂商也开支在日本和韩国使用的手机中增加可拆卸存储闪存卡。
而在nand闪存市场，为争得天下，供应商不仅是在供应产量上下工夫，工艺技术也成了比拼的舞台。
据悉，三星电子将在2004年第三季度采用70纳米工艺生产4gbit nand的样品，随后在第四季度开始限量生产。瑞萨科技(renesas technology corp.)闪存公司则计划在2004年年中采用90纳米工艺生产4gbit and闪存的样品，该产品将由其在日本的一家工厂采用300毫米晶圆制造。而东芝正在采用90纳米工艺生产asic，并计划在年底以前用该工艺生产nand。同时，意法半导体与海力士（hynix）半导体新组建的合资公司，将在最近开始生产其第一款512mbit闪存芯片，采用0.12微米工艺，并将在2004年过渡到90纳米。
三星向70纳米nand过渡，是否会给其带来竞争优势，人们对此尚存争议。但三星的抢先一步，却不难让人发现抢占未来市场份额的优势性。另一方面，nand闪存市场90纳米工艺上的比拼也可能影响到dram市场的转变，有业内人士指出，dram产业应该在2005年初进入90纳米工艺量产。
