中国上海，2022年1月27日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。
这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（Si）IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。
- 应用：
- 用于轨道车辆的逆变器和转换器
- 可再生能源发电系统
- 电机控制设备
- 高频DC-DC转换器
- 特性：
- 安装方式兼容Si IGBT模块
- 损耗低于Si IGBT模块
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃
Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃
MG400V2YMS3
VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃
Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃
- 内置NTC热敏电阻
- 主要规格：
（除非另有说明，@Tc＝25℃）
| 器件型号 | MG600Q2YMS3 | MG400V2YMS3 | ||
| 封装 | 2-153A1A | |||
| 绝对最大额定值 | 漏极-源极电压VDSS（V） | 1200 | 1700 | |
| 栅极-源极电压VGSS（V） | +25／-10 | +25／-10 | ||
| 漏极电流（直流）ID（A） | 600 | 400 | ||
| 漏极电流（脉冲）IDP（A） | 1200 | 800 | ||
| 结温Tch（℃） | 150 | 150 | ||
| 隔离电压Visol（Vrms） | 4000 | 4000 | ||
| 电气特性 | 漏极-源极导通电压（感应） VDS(on)sense典型值（V） | @VGS＝+20V， Tch＝25℃ | 0.9 @ID＝600A | 0.8 @ID＝400A |
| 源极-漏极导通电压（感应） VSD(on)sense典型值（V） | @VGS＝+20V， Tch＝25℃ | 0.8 @IS＝600A | 0.8 @IS＝400A | |
| 源极-漏极关断电压（感应） VSD(off)sense典型值（V） | @VGS＝-6V， Tch＝25℃ | 1.6 @IS＝600A | 1.6 @IS＝400A | |
| 开通损耗 Eon典型值（mJ） | @Tch＝150℃ | 25 @VDS＝600V， ID＝600A | 28 @VDS＝900V， ID＝400A | |
| 关断损耗 Eoff典型值（mJ） | @Tch＝150℃ | 28 @VDS＝600V， ID＝600A | 27 @VDS＝900V， ID＝400A | |
| 热敏电阻特性 | 额定NTC电阻 R典型值（kΩ） | 5.0 | 5.0 | |
| NTC B值 B典型值（K） | @TNTC＝25℃-150℃ | 3375 | 3375 |
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MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3
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碳化硅功率器件
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