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利用万用表定性测量场效应管的好坏 电子基础知识

利用万用表定性测量场效应管的好坏

  场效应管的转移特性曲线是表明当漏、源极所加电压V舾保持不变时...
2020年02月17日  利用万用表定性测量场效应管的好坏已关闭评论
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场效应管的替换原则及好坏判断 电子基础知识

场效应管的替换原则及好坏判断

场效应管的替换原则是什么 场管的代换原则(只适合主板)     ...
2020年02月17日  场效应管的替换原则及好坏判断已关闭评论
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常见高速光藕型号的选择
电子基础知识

常见高速光藕型号的选择

  经查大量资料后,总结出目前市场上常见之高速光藕型号供大家选择...
2020年02月17日  常见高速光藕型号的选择已关闭评论
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结型场效应管的管脚识别步骤 电子基础知识

结型场效应管的管脚识别步骤

    1、结型场效应管的管脚识别:   场效应管的栅...
2020年02月17日  结型场效应管的管脚识别步骤已关闭评论
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电子电路系列—MOS管精讲 电子基础知识

电子电路系列—MOS管精讲

    MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体...
2020年02月17日  电子电路系列—MOS管精讲已关闭评论
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增强型和耗尽型场效应晶体管
电子基础知识

增强型和耗尽型场效应晶体管

    总的来说,场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两...
2020年02月17日  增强型和耗尽型场效应晶体管已关闭评论
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电子元件分析:MOS管击穿的原因
电子基础知识

电子元件分析:MOS管击穿的原因

  MOS管被击穿的原因及解决方案如下:   第一、MOS管本身...
2020年02月17日  电子元件分析:MOS管击穿的原因已关闭评论
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MOSFET选择策略详解
电子基础知识

MOSFET选择策略详解

  在70年代晚期推出MOSFET之前,晶闸管和双极结型晶体管(...
2020年02月17日  MOSFET选择策略详解已关闭评论
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理解MOSFET开关损耗和主导参数 电子基础知识

理解MOSFET开关损耗和主导参数

本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通...
2020年02月17日  理解MOSFET开关损耗和主导参数已关闭评论
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Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻 电子基础知识

Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 11 月29 ...
2020年02月17日  Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻已关闭评论
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