宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 4 月29 日...
电子基础知识
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东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管
东京—东芝公司（TOKYO：6502）今天宣布面向超低功率微...
东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列
通过采用DMOS FET 型输出驱动器来扩大高效晶体管阵列阵...
台积电采用Cadence的FinFET单元库特性分析解决方案
• 输出单元库符合台积电对16纳米FinFET STA关联性...
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Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET
宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 10 月9 日...
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英飞凌推出革命性的1200V碳化硅（SiC）MOSFET技术 助力电源转换设计提升效率和性能
英飞凌推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设...
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详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程
逆变器，别称为变流器、反流器，是一种可将直流电转换为交流电的...
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详解mos管原理及几种常见失效分析
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（...
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一文读懂场效应管的分类、结构以及原理
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写...
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场效应管原理简析，场效应管的分类与参数
场效应晶体管（Field Effect Transistor...
