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详解mos管原理及几种常见失效分析

  mos管是金属(metal)—氧化物(oxide...
2019年07月13日  详解mos管原理及几种常见失效分析已关闭评论
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详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程

  逆变器,别称为变流器、反流器,是一种可将直流电转换为交流电的...
2019年07月13日  详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程已关闭评论
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英飞凌推出革命性的1200V碳化硅(SiC)MOSFET技术 助力电源转换设计提升效率和性能

  英飞凌推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术,使产品设...
2019年07月13日  英飞凌推出革命性的1200V碳化硅(SiC)MOSFET技术 助力电源转换设计提升效率和性能已关闭评论
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Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 1...
2019年07月13日  Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET已关闭评论
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东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列
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东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列

  通过采用DMOS FET 型输出驱动器来扩大高效晶体管阵列阵...
2019年07月13日  东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列已关闭评论
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台积电采用Cadence的FinFET单元库特性分析解决方案
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台积电采用Cadence的FinFET单元库特性分析解决方案

  • 输出单元库符合台积电对16纳米FinFET S...
2019年07月13日  台积电采用Cadence的FinFET单元库特性分析解决方案已关闭评论
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东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管
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东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管

  东京—东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布面...
2019年07月13日  东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管已关闭评论
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Vishay推出应用在便携电子中的最低导通电阻的新款MOSFET

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 4...
2019年07月13日  Vishay推出应用在便携电子中的最低导通电阻的新款MOSFET已关闭评论
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Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 1...
2019年07月13日  Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻已关闭评论
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理解MOSFET开关损耗和主导参数

本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通...
2019年07月13日  理解MOSFET开关损耗和主导参数已关闭评论
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