微机电系统芯片现在可以接合切割分离后的cmos asic。据vti technologies 的开发人员介绍， 称之为“片上微机电系统”的技术在整个微机电系统晶圆切片之前把asic裸片接合在其顶上。
“片上微机电系统技术和传统的封装有着根本的不同”vti 公司研究部副总裁heikki kuisma介绍说，；一位汽车市场上的微机电系统加速仪和压力传感器制造商说，“现在，即使是最后的测试和校准都是晶片级的制程”。
除了对晶片级的校准和测试有利，vti technologies 同时声称 片上微机电系统使制造更加薄的芯片成为可能。vti展示了复合mems和asic测试面积只有4平方毫米但是只1毫米薄的晶片的技术。一般的微机电系统芯片接合asic 晶片的厚度在在2到5毫米。最后，vti称它将可以制造厚度是现在的芯片三分之一薄的片上微机电系统。
片上微机电系统的制程是首先测试微机电系统晶片；然后将超薄的asic裸片压在微机电系统晶片的最佳位置上；之后asic片上滴上300微米的焊接球，这里使用的是焊接倒装式芯片技术。
最后，使用底部填充把asic和mems分离，目的是为了钝化和提高可靠性；最终的验证可以在复合片上微机电系统设备切片前的晶圆级上进行。
在下个阶段，vti说它将关注多asic芯片集成在mems晶片上的技术，这种技术拥有制造复杂电路的3d堆叠。vti说这种技术可以利用低于3d技术的的成本，而令多个20微米厚的asic集成在mems芯片顶上，同时为了量产正努力改进技术。
