台积电（2303）微制像技术发展处资深处长林本坚12日表示，台积电将从65奈米制程导入浸润式微影技术（immersion lithography），经过过去1年经验累积后，台积电的浸润式微影技术未来应可发挥到22奈米制程世代，他表示，浸润式微影技术可延长cmos制程达到19奈米制程世代，不过林本坚表示，19奈米制程时代至少也要等到2010年后。
浸润式显影技术是在目前90奈米制程量产的波长193奈米微影基础上，再做延伸至65奈米制程以下的制程世代，而台积电浸润式显影技术主要的推动者便是林本坚，他在10多年前从美国ibm退休以后，2000年在台积电资深研发副总蒋尚义延揽下至台积电。
台积电65奈米制程除了该公司主动宣布的altera、博通（broadcom）以及飞思卡尔（freescale）外，另外包括传言中的高通（qualcomm）等，台积电目前已有5～6家65奈米制程客户订单在手，估计将在第二季导入量产。
林本坚说，按目前传统的微影技术发展，cmos半导体制程到了65奈米制程世代就会面临极限，不过，目前以水为介质的浸润式微影技术，经历过去1年的经验累积后，他有信心台积电的浸润式微影技术，可以发挥至22奈米制程世代。
林本坚日前在iedm（international electron devices meeting）国际研讨会上，发表有关浸润式微影技术的学术论文时透露，台积电目前正在寻找密度比水更高的介质，应可以把cmos制程的极限往下拉到19奈米制程时代，但19奈米制程世代是否真有成为主流的一天？林本坚说届时还要看市场需求以及晶圆能否顺利量产而定，不过他估计19奈米制程时代，至少也要等到2010年以后。
