“闪存万岁！”这是日前召开的闪存峰会上传出的信息。据semiconductor insights内存部门的技术经理geoff macgillivary，实际上，闪存（特别是nand）至少还能发展三代，从而在可预见的将来都不会需要“通用存储”(universal memory)技术。
macgillivary认为，nand闪存技术至少能够发展到20纳米的“半间距(half-pitch)”节点。
这样的话，就会推迟对feram、mram和oum等“通用内存”的需求。分析师认为：“通用内存”是用于取代闪存的，但该技术并不会那么快兑现承诺。”他指的是最近飞思卡尔关于mram出货情况的声明。他说，飞思卡尔的mram似乎不会与闪存针锋相对，“我认为他们说的是嵌入式领域。”
feram则是新一代非易失铁电随机存储器，近日富士通也宣布其新型feram材料使容量扩展至256m；oum也被称为“相变内存”。有一位分析师认为，oum技术“10年内”不会实现商业化。geoff macgillivary则表示：“feram将拥有一席之地，但似乎没有达到人们的期望水平。”
之前，市场调研公司isuppli曾预计，到2019年，兼具sram的速度、dram的密度与闪存的非易失性特点的“通用”存储芯片市场可能达到763亿美元。这种所谓的“通用”内存将占有80%的市场。当然，机构表示这只是一种“猜测”。而目前没有一种单一的半导体存储技术具有人们所渴望的全部特点，除了速度、密度和非易失性以外，人们还要求存储技术具有低制造成本、低切换能量(low switching energy)和可微缩至纳米级大小。
至少，包括部分上述特点的一些产品处于不同的商业化阶段，包括：相变内存(oum)、磁阻ram(mram)、铁电ram(fram)和纳米管ram(nram)。不管如何，如果其中有哪种技术能够胜出，则将坐拥一个巨大的市场。
