恩智浦半导体(nxp)近日发布了最新一代低vcesat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型biss(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、pda和数码相机)的发热量。biss双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。
第三代biss晶体管的最大集电极电流为5.8安培，它使用网状发射极技术降低rcesat，从而能够提供更高的电流容量以及超低的vcesat。biss晶体管可用于提高中等功率dc/dc转换、负荷开关、高边开关(high side switch)、电机驱动器、背光变极器应用和频闪器闪光单元以及电池充电器等多种应用的效率。恩智浦目前大批量生产供应的biss晶体管有120多种。
供货情况
目前提供三种塑封低vcesat biss晶体管：sot457(六脚)、sot89(三线、配有确保良好传热性的集电极片)和sot223(四线、配有更多散热片)。
(来源：搜狐it)
