新款25v irfh4251d和irfh4253d采用ir的新一代硅技术和崭新的5x6 mm pqfn封装，提供功率密度的新标准。全新电源模块组件配有高度集成的单片式fetky®，其创新的封装采用顶尖的翻模 (flipped-die) 技术，可以将同步mosfet源直接连接到电路板的地线层以实现有效散热。由于具有更强的散热性能和功率密度，任何一个采用5x6 mm封装的新组件都可以替换采用5x6 mm封装的两个标准独立组件。全新封装还采用已在powirstage和supirbuck中广泛使用的ir专利技术单铜夹，以及经过优化的布线，有助于大幅减少杂散电感以降低峰值鸣震，这样设计师就可以用25v mosfet代替效率较低的30v组件。
ir亚太区销售部：irfh4251d和irfh4253d电源模块组件采用顶级的硅技术和突破性封装，具有多项崭新功能，为高性能dc-dc开关应用提供行业领先的功率密度。这些组件采用更高效的布线，必可树立dc-dc双mosfet的行业新标准。
irfh4251d和irfh4253d针对5v栅极驱动应用进行了优化，可与各种控制器或驱动器结合使用，从而带来设计的灵活性，与采用两个分立式30v功率mosfet的同类方案相比，能以较小的占位面积实现更高的电流、效率和频率。
规格
组件编号
封装
电流额定值
irfh4251d
pqfn 5 x 6
45a
irfh4253d
pqfn 5 x 6
35a
ir推出首套创新的电源模块组件系列产品—— irfh4251d和irfh4253d，适用于dc-dc同步降压应用，包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本 (ultrabook) 和笔记本电脑等。http://ycykj.51dzw.com/
