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碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET
参考设计

碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET

碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET摘...
2026年06月16日  碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET已关闭评论
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摩尔斯微电子宣布VPI Technology加入Wi-Fi HaLow设计合作伙伴计划
中国芯片

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2026年06月16日  摩尔斯微电子宣布VPI Technology加入Wi-Fi HaLow设计合作伙伴计划已关闭评论
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中国光学工程学会-稿件发布0616
大学院校

中国光学工程学会-稿件发布0616

2026国际无人机应用及防控大会6月底将在北京开幕:万亿低空风起...
2026年06月16日  中国光学工程学会-稿件发布0616已关闭评论
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Littelfuse NANO² SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护
产品库

Littelfuse NANO² SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护

下载高清图像:NANO²® SMD 708系列保险丝Littel...
2026年06月16日  Littelfuse NANO² SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护已关闭评论
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ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品 AI芯域

ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品

中国上海,2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM(...
2026年06月16日  ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品已关闭评论
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在探针卡层面进行集成,实现ATE系统中的可扩展LCR测量 AI芯域

在探针卡层面进行集成,实现ATE系统中的可扩展LCR测量

作者:Lydia Chen,现场应用工程师 摘要 随着半导体测试...
2026年06月16日  在探针卡层面进行集成,实现ATE系统中的可扩展LCR测量已关闭评论
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碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET AI芯域

碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET

摘要:碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等...
2026年06月16日  碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET已关闭评论
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Littelfuse NANO²® SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护 AI芯域

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业界首款在80 VDC条件下额定分断电流为14 kA,采用紧凑型...
2026年06月16日  Littelfuse NANO²® SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护已关闭评论
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从汽车到工业,TI 嵌入式处理器以系统级能力赋能下一代边缘 AI
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2026年06月15日  从汽车到工业,TI 嵌入式处理器以系统级能力赋能下一代边缘 AI已关闭评论
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派克汉尼汾扩展SensoControl 控制器系列产品,满足现代连接与标准化需求
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即刻发布联系人:派克汉尼汾扩展SensoControl 控制器系...
2026年06月15日  派克汉尼汾扩展SensoControl 控制器系列产品,满足现代连接与标准化需求已关闭评论
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