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利用电流基准开关稳压器设计来优化LDO裕量控制——第二部分:设计、实现方案和评估结果 AI芯域

利用电流基准开关稳压器设计来优化LDO裕量控制——第二部分:设计、实现方案和评估结果

作者:Kyosuke Shimo,现场应用工程师Ino Ardi...
2026年05月27日  利用电流基准开关稳压器设计来优化LDO裕量控制——第二部分:设计、实现方案和评估结果已关闭评论
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兼具诊断能力和高能效特性,安森美10BASE-T1S芯片深度解析 AI芯域

兼具诊断能力和高能效特性,安森美10BASE-T1S芯片深度解析

摘要:随着软件定义汽车加速落地,高效、精简、适配车载场景的通信技...
2026年05月27日  兼具诊断能力和高能效特性,安森美10BASE-T1S芯片深度解析已关闭评论
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Microchip推出3.3 kV HV‑D3 mSiC®功率模块助力AI数据中心实现固态变压器应用 AI芯域

Microchip推出3.3 kV HV‑D3 mSiC®功率模块助力AI数据中心实现固态变压器应用

新型碳化硅模块提供了满足要求的热性能和效率,使固态变压器(SST...
2026年05月27日  Microchip推出3.3 kV HV‑D3 mSiC®功率模块助力AI数据中心实现固态变压器应用已关闭评论
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利用电流基准开关稳压器设计来优化LDO裕量控制——第一部分:噪声源、影响及策略 AI芯域

利用电流基准开关稳压器设计来优化LDO裕量控制——第一部分:噪声源、影响及策略

作者:Kyosuke Shimo,现场应用工程师 Ino Ard...
2026年05月26日  利用电流基准开关稳压器设计来优化LDO裕量控制——第一部分:噪声源、影响及策略已关闭评论
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Vishay PAR和TRANSZORB TVS采用新的DFN6546A超薄封装实现3000 W功率耗散 人工智能

Vishay PAR和TRANSZORB TVS采用新的DFN6546A超薄封装实现3000 W功率耗散

这些单向和双向器件采用0.88 mm的薄形设计,并具有易于吸附焊...
2026年05月19日  Vishay PAR和TRANSZORB TVS采用新的DFN6546A超薄封装实现3000 W功率耗散已关闭评论
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Microchip推出新型EX‑423真空微型晶体振荡器 AI芯域

Microchip推出新型EX‑423真空微型晶体振荡器

面向低功耗与电池供电应用提供高精度关键时钟方案 采用超高真空密封...
2026年05月19日  Microchip推出新型EX‑423真空微型晶体振荡器已关闭评论
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重新构想AI电源:塑造AI加速的未来(第三部分)

现在来探讨下一波浪潮——垂直供电。这背后离不开ADI公司不懈的创...
2026年05月13日  重新构想AI电源:塑造AI加速的未来(第三部分)已关闭评论
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意法半导体推出全新超低功耗图像传感器,赋能新一代消费电子产品全天候视觉感知能力 AI芯域

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2026年05月11日  意法半导体推出全新超低功耗图像传感器,赋能新一代消费电子产品全天候视觉感知能力已关闭评论
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2026年05月09日  意法半导体发布4V-36V高精度运放已关闭评论
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-适用于工作温度高达125°C的工业应用- 中国上海,2026年...
2026年05月07日  东芝发布支持PCIe®6.0与USB4®2.0版等高速差分信号的2:1多路复用器/1:2解复用器开关已关闭评论
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