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首页技术应用电子技术AI芯域文章
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品 AI芯域

ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品

中国上海,2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM(...
2026年06月16日  ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品已关闭评论
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面对高速发展的低轨卫星(LEO)市场,意法半导体正在积极布局。对...
2026年06月16日  意法半导体全面布局低轨卫星已关闭评论
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作者:Lydia Chen,现场应用工程师 摘要 随着半导体测试...
2026年06月16日  在探针卡层面进行集成,实现ATE系统中的可扩展LCR测量已关闭评论
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碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET AI芯域

碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET

摘要:碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等...
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作者:Trent Bartow,Rakshit Grover 随...
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