英特尔正式揭开神秘面纱，对于下1世代nand flash制程技术，确定为34奈米，且将提前在6月送样给客户，2008年下半年进入量产，力图与三星和东芝互别苗头。
据境外媒体报道，关于全球nand型快闪存储器(flash)大厂新1代制程之事，一直沸沸扬扬，三星、东芝(toshiba)、海力士(hynix)3大阵营均由40奈米制程切入，三星和东芝分别为42奈米和43奈米制程，海力士为48奈米制程，现在，只有英特尔和美光阵营选择由40奈米制程以下切入，藉由较低成本结构，全力攻占nand flash市场，大有后发先至之气势。
英特尔和美光所推出第1款采用34奈米制程产品为32gb mlc芯片，由双方联手开发，并交由合资公司im flash生产制造，至于同样采用34奈米制程生产的slc(single-level cell)芯片，则会在2008年底前问世。
存储器业者指出，英特尔和美光正式进入34奈米制程世代，不仅是宣布nand flash新世代提前来临，亦将加快固态硬碟(ssd)解决方案导入笔记型计算机(nb)速度，以英特尔和美光34奈米制程来看，绝对可以大幅降低ssd成本结构。
