Arm 的互联技术结合格芯的 12LP 工艺，带来高性能与低延迟表现，拓宽人工智能 (AI)、云计算和移动 SoC 高核心设计带宽。
加利福尼亚州圣克拉拉及英国剑桥，2019 年 8 月 7 日 — 作为先进的专业代工厂，格芯今日宣布，已流片生产基于 Arm® 的 3D 高密度测试芯片，可提升人工智能/机器学习 (AI/ML) 和高端消费电子移动及无线解决方案等计算应用的系统性能与能效。新芯片采用格芯 12nm Leading-Performance (12LP) FinFET 工艺制造，运用 Arm 3D 网状互连技术，核心间数据通路更为直接，可降低延迟，提升数据传输率，满足数据中心、边缘计算和高端消费电子应用的需求。
该芯片的交付证明了Arm和格芯在研究和开发差异化解决方案方面取得的快速进展，差异化解决方案能够提升设备密度和性能，从而实现可伸缩高性能计算。此外，两家公司还验证了一种3D可测试性设计(DFT)方法，使用格芯的晶圆与晶圆之间的混合键合，每平方毫米可连接多达100万个3D连接，拓展了12nm设计在未来的应用。
Arm Research 副总裁 Eric Hennenhoefer 表示：“Arm 的 3D 互连技术使半导体行业能够强化摩尔定律，以便应对更多样化的计算应用。格芯在制造与先进封装能力方面的专业知识，结合 Arm 的技术，赋予我们共同的合作伙伴更多差异化功能，推动进军下一代高性能计算新模式。”
格芯平台首席技术专家 John Pellerin 表示：“在大数据与认知计算时代，先进封装的作用远甚以往。AI 的使用与高吞吐量节能互连的需求，正通过先进封装技术推动加速器的增长。我们很高兴能与 Arm 这样的创新型合作伙伴携手，提供先进的封装解决方案，进一步在小尺寸芯片上集成多种节点技术，优化逻辑拓展、内存带宽和射频性能。合作将使我们发现先进封装新视角，助力我们共同的客户高效创建完备的差异化解决方案。”
格芯已转变自身商业模式，帮助客户开发专注市场及应用的新型解决方案，满足当今市场的严苛需求。格芯的 3D 面对面 (F2F) 封装解决方案不仅为设计者提供异构逻辑和逻辑/内存集成途径，还可以优化生产节点制造，从而实现更低延迟、更高带宽和更小特征尺寸。格芯的这一策略，以及 Arm 等合作伙伴的早期参与，为客户提供了更多选择与灵活性，同时还可帮助客户降低成本，推动客户下一代产品更快量产。
