这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2025年5月29日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N沟道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW的导通电阻低15 %，而RthJC低18 %。
日前发布的器件在10 V下的导通电子典型值为0.88 mW，最大限度降低了传导造成的功率损耗，从而提高了效率，同时以低至0.36 ℃/W的最大RthJC改善了热性能。这款节省空间的器件体积为8 mm x 8 mm，与采用TO-263封装的MOSFET相比，PCB面积减少50 %，而且其厚度仅为1 mm。
SiEH4800EW采用融合的焊盘，将源焊盘的可焊面积增加到3.35 mm2，比传统PIN焊接面积大四倍。这降低了MOSFET和PCB之间的电流密度，从而降低了电迁移的风险，使设计更加可靠。此外，器件易于吸附焊锡的侧翼增强了可焊性，同时更容易通过目视检查焊点的可靠性。
这款MOSFET的常适合同步整流和Oring应用。典型应用包括电机驱动控制器、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机。在这些应用中，该器件可在+175 ℃的高温下工作，而其BWL设计可将寄生电感降至最低，同时使电流能力最大化。
MOSFET符合RoHS标准，无卤素，并且经过100 %的Rg和UIS测试。
对比表：D2PAK、PowerPAK 8x8L和 PowerPAK 8x8SW对比
| 产品编号 | SUM60020E | SiJH5800E | SiEH4800EW | |
| 封装 | TO-263 | PowerPAK 8x8L | PowerPAK 8x8SW | |
| 尺寸 (mm) | 16 x 10 | 8.0 x 8.0 * | 8.0 x 8.0 * | |
| 高度 (mm) | 4.8 | 1.7 | 1.0 * | |
| VDS (V) | 80 | 80 | 80 | |
| VGS (V) | ± 20 | ± 20 | ± 20 | |
| 配置 | 单个 | 单个 | 单个 | |
| VGSth (V) | 最小值 | 2.0 | 2.0 | 2.0 |
| RDS(on) (mΩ) @ 10 VGS | 典型值 | 1.75 | 0.97 | 0.88 * |
| 最大值 | 2.1 | 1.35 | 1.15 * | |
| ID (A) | 最大值 | 150 | 302 | 608 * |
| RthJC (C/W) | 最大值 | 0.4 | 0.45 | 0.36 * |
| 熔断引线 | 无 | 无 | 有 |
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SiEH4800EW现可提供样品并已实现量产，供货周期为13周。
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。The DNA of tech®是Vishay Intertechnology的注册商标。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix incorporated的注册商标。
