宾夕法尼亚、MALVERN—2020年2月11日 —日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。于此同时，导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET在开关应用的重要优值系数（FOM）为172 mW*nC，达到同类产品最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65 %。
日前发布的MOSFET导通电阻比上一代解决方案低26 %，比市场上排名第二的产品低35 %，而FOM比紧随其后的竞争器件低15 %。这些业内最佳值降低了导通和开关损耗，从而节省能源并延长便携式电子设备的电池使用寿命，同时最大限度降低整个电源路径的压降，以防误触发。器件紧凑的外形便于安装在PCB面积有限的设计中。
行业标准面积尺寸的SiSS05DN可直接替代升级5 V至20 V输入电源应用中的现有器件。该MOSFET适用于适配器和负载开关、反向极性保护、电池供电设备电机驱动控制、电池充电器、消费类电子、计算机、电信设备等。
器件经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiSS05DN现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周，视市场情况而定。
VISHAY简介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站www.vishay.com。
