上海，2020年5月11日 – 富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高温度下正常运行。该器件工作电压可低至1.7V至1.95V，配有串行外设接口(SPI)。目前可为客户提供评测版样品，将在6月实现量产。
这款全新FRAM产品是汽车电子电控单元的最佳选择，满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求，如ADAS。
图1：MB85RS2MLY 8pin DFN 封装
富士通电子推出可在高温下稳定运行的新款2Mbit FRAM
图2：应用实例(ADAS)
FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的FRAM。
自2017年以来，富士通电子不断推出工作电压3.3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽车级FRAM产品。但高端汽车电控单元的推出，使得一些客户开始要求FRAM的工作电压低于1.8V。富士通电子近日推出的这款全新FRAM正是为了满足这一市场需求而面世的。
MB85RS2MLY在-40°C至+125°C温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用，比如连续10年每天每0.1秒记录一次数据，则写入次数将超过30亿。另外，这款产品可靠性测试符合AEC-Q100 Grade 1标准，达到汽车级产品的认证标准。因此，在数据写入耐久性和可靠性方面，富士通电子最新推出的这款FRAM完全支持ADAS等需要实时数据记录的应用。
这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装，可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外，还提供外形尺寸为5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN(无引线双侧扁平)封装。
