意法半导体(stmicroelectronics，st )前段制程部门执行副总裁在由soi consortium举办的研讨会上，展示该公司fd-soi制程将由28奈米──2012下半年量产──跳过20奈米，直接前进至14奈米、然后10奈米的技术蓝图。先前st曾指出，该公司将在2012年7月推出28奈米fd-soi制程原型，然后会在2013年第三季推出20奈米fd-soi制程原型。
fd-soi技术阵营已经改变了对20奈米节点的策略，因此下一代的fd-soi技术将与英特尔的14奈米finfet制程，以及包括台积电(tsmc)、globalfoundries等晶圆代工厂所提供的其他finfet制程，在同一节点上竞争。
hartmann也提供了以st的28奈米fd-soi制程与st-ericsson多核心modap novathor处理器搭配，所量测到的最新性能结果；宣称st的28奈米闸极优先(gate-first) fd -soi制程与28奈米bulk cmos制程相较，更能达到低功耗以及高性能。
soi consortium 的mendez展示的技术蓝图显示，fd-soi现在包括预计2016年问世的10奈米制程节点；而这也会是fd-soi技术被引介为finfet制程解决方案选项之一的节点。
fd-soi技术蓝图
在美国旧金山举行的fd-soi (fully depleted silicon on insulator)技术研讨会上，产业组织soi consortium所展示的文件显示， fd-soi 制程技术蓝图现在直接跳过了20奈米节点，直接往14奈米、接着是10奈米发展。
据soi consortium执行总监在该场会议上展示的投影片与评论指出，14奈米fd-soi技术问世的时间点约与英特尔 (intel)的14奈米finfet相当，而两者的性能表现差不多，fd-soi的成本则应该会比finfet低得多。
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