今天发布的igbt芯片提供多种裸片尺寸，额定集电极电流从30a到240a，击穿电压为600v～650v，包括trench pt和fs器件，每种器件都提供已切割或未切割的裸片。
trench pt器件具有极低的传导损耗，负温度系数使器件在50%额定电流下集电极到发射极电压低至1.07v，在满额定电流和+125℃下为1.34v。通过采用trench结构，igbt的尺寸比平面工艺的器件小，具有更高的电力密度和更低的热阻，而不会损失性能和可靠性。trench pt igbt适合频率小于1khz的低开关频率。
在满电流和25℃下，vishay的trench fs器件的集电极到发射极饱和电压只有1.45v，可减少传导损耗。器件同时具有快速和软开关特性，既减小功耗，又降低导通和关断损耗。另外，器件的软关断能够降低峰值电压，扩大功率等级，简化电路布局。fs igbt的工作温度达+175℃，能实现更健壮的设计，在高温(150℃)下的短路额定时间只有6μs，使器件在极重负载和失效情况下也能安全和可靠地工作。器件的饱和电压具有较低的正温度系数，可简化并联设计。
这些器件适合用在电源模块里，搭配vishay的新型fred pt® gen 4超快软恢复二极管一起使用，可以实现非常低的emi，最高工作温度达+175℃，在单相和三相逆变器、功率因数校正(pfc)电路，以及全桥及半桥dc/dc转换器里可以即插即用，十分可靠。http://tonghe66.51dzw.com/
采用punch through(pt)和field stop(fs)技术的新trench igbt(绝缘栅双极型晶体管)平台。vishay semiconductors推出的这些器件可提高电机驱动、ups、太阳能逆变器和焊接设备逆变器的效率，以裸片方式供货，集电极到发射极的电压较低，能够快速和软导通及关断，从而降低传导和开关损耗，650v的击穿电压提高了可靠性。
