全球首款16-模具的开发利用tsv（最大值）堆叠nand闪存（硅通孔）技术，东芝今天表示，在闪存峰会2015年（8月11日至13日，圣克拉拉，usa）的原型。
而不是连接在一起与导线接合在封装堆叠nand快闪存储器，tsv技术利用垂直电极和通孔穿过硅管芯进行连接。根据该公司，这使得能够进行高速的数据输入和输出，并降低功耗。
该技术实现了以上的1gbit/秒的i/o数据速率，它比具有低电压供电，即1.8v到核心电路和1.2v到i/o电路的任何其他nand快闪存储器更高。大概有写操作的50％降低功耗，读操作和i/o数据传输，与公司当前的产品进行比较。
这种新的内存提供低延迟，高带宽，高iops/w的闪存存储应用，包括高端的企业级ssd，该公司表示。
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这种应用技术的一部分是由新能源产业技术综合开发机构（nedo）开发的。
与非双x8 bga-152包可与256gbyte的存储容量，并测量14×18×1.9毫米。
