fairchild /安森美半导体：
技术mosfet（金属氧化物）
漏极到源极电压（vdss）30v
电流 - 连续漏极（id）@ 25°c 13a（ta）
驱动电压（max rds on，min rds on）4.5v，10v
vgs（th）（max）@ id 3v @250μa
栅极电荷（qg）（最大值）@ vgs 30nc @ 5v
输入电容（ciss）（最大值）@ vds 2220pf @ 15v
vgs（最大值）±20v
fet特征 -
功耗（最大值）2.5w（ta）
rds on（max）@ id，vgs 8 mohm @ 13a，10v
工作温度-55°c~150°c（tj）
安装类型表面安装
单n沟道，逻辑电平，powertrenchtm mosfet
功能
绝对最大额定值ta
符号参数fds6670a单位
vdss漏源电压30 v.
vgss栅源电压±20 v.
id漏极电流 - 连续（注1a）13 a.
- 脉冲50
单次操作的pd功耗（注1a）2.5 w
，tstg操作和存储温度范围-55至150°c
热特性
rqja热阻，结到环境（注1a）50°c / w.
rqjc热阻，结至外壳（注1）25°c / w.
fds6670a rev.d1
13 a，30 v. rds（on）
= 0.008 w @ vgs = 10 v.
rds（on）
= 0.010w @ vgs = 4.5 v.
