•低电阻。 q1：rds（on）=0.7ω（最大值）（@ vgs = 10 v）
q2：rds（on）=2.7ω（最大值）（@ vgs = -10 v）
q1绝对最大额定值（ta = 25°c）
项目符号评级单位
漏源电压vdss 30 v.
栅源电压vgss±20 v.
d c id 400
漏电流
脉冲idp 800
毫安
漏源电压vdss-30 v.
栅源电压vgss±20 v.
d c id-200
漏电流
脉冲idp -400
毫安
功耗pd300 mw
通道温度tch 150°c
储存温度tstg -55至150°c
特性 （ta = 25°c）
项目符号测量条件最小标准 = 200 ma，
vgs = 0至4v⎯68ns ns
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