- MAX7000S/AE， MAX3000A：5v/3.3vEEPOM工艺PLD，是ALTERA公司销量最大的产品，已生产5000万片，从从32个到1024个宏单元。 MAX3000A是Altera公司99年推出的3.3v 低价格EEPOM工艺PLD,从32个到512个宏单元,结构与MAX7000基本一样。
5v
3.3v
3.3v
2.5v
宏单元
备注
EPM7032S
EPM7032AE
EPM3032A
EPM7032B
32
EPM7064S
EPM7064AE
EPM3064A
EPM7064B
64
EPM7128S
EPM7128AE
EPM3128A
EPM7128B
128
EPM7256S
EPM7256AE
EPM3256A
EPM7256B
256
- FLEX10KE/ACEX1K FLEX10KE是98推出的2.5vSRAM工艺 PLD(FPGA),从3万门到25万门，主要有10K30E,10K50E,10K100E,带嵌入式存储块(EAB) 较早期的型号还有FLEX10K(5V),FLEX10KA(3.3v),5v的10K和3.3v的10KA已基本不推广。ACEX1K是2000年推出的2.5v低价格SRAM工艺PLD(FPGA),结构与10KE类似,带嵌入式存储块(EAB),部分型号带PLL，主要有1K10, 1K30, 1K50,1K100。
2.5v
2.5v
逻辑单元（LE）数量
嵌入式RAM块
备注
EP1K10
576
3
每个RAM块容量为4Kbit
EPF10K30E
EP1K30
1728
6
EPF10K50E
EP1K50
2880
10
EPF10K100E
EP1K100
4992
12
- FLEX6000 5v/3.3vSRAM工艺,较低价格的CPLD(FPGA),结构与10K类似，但不带嵌入式存储块
5v
3.3v
逻辑单元（LE）数量
备注
EPF6010A
880
EPF6016
EPF6016A
1320
EPF6024
EPF6024A
1960
- APEX20K 99年推出的大规模2.5v/1.8v SRAM工艺CPLD(FPGA）,带PLL,CAM,EAB,LVDS,从3万门到150万门
2.5v
1.8v
逻辑单元（LE）数量
嵌入式RAM块
备注
EP20K60E
2560
16
每个RAM块容量为4Kbit
EP20K100
EP20K100E
4160
26
EP20K200
EP20K200E
8320
52
EP20K300E
11520
72
EP20K400
EP20K400E
16640
104
EP20K600E
24320
152
EP20K100E
38400
160
EP20K1500E
51840
216
- APEXII APEX的下一代高密度SRAM工艺的FPGA,规模超过APEX，支持LVDS,PLL,CAM,用于超高密度设计
1.5v
逻辑单元（LE）数量
嵌入式RAM块数量
备注
EP2A15
16640
104
每个RAM块容量为4Kbit
EP2A25
24320
623
EP2A40
38400
655
EP2A70
67200
1147
EP2A90
89280
1524
- Excalibur 片内集成CPU的最新PLD/FPGA产品
- Mercury 新一代高性能SRAM工艺FPGA，8层全铜布线，I/O性能及系统速度有很大提高，I/O支持CDR(时钟-数据自动恢复）,支持DDR SDRAM接口，内部支持四端口存储器，LVDS接口最高支持到1.25G，用于高性能高速系统设计,适合做高速系统的接口。
1.5v
逻辑单元（LE）数量
CDR通道数
嵌入式RAM块数量
备注
EP1M120
4800
8
12
每个RAM块容量为4Kbit
EP1M350
14400
18
28
配置EEPROM 用于配置SRAM工艺FPGA的EEPROM
型号
容量
适用型号(详细内容请参阅数据手册）
电压
常用封装
EPC1441 （不可擦写)
441 Kbits
6K,10K10-10K30，1K10
3.3/5v 自动选择（可在软件中设定）
8 脚 DIP
EPC1 （不可擦写)
1M bits
10K30E/1K30，10K/1K50,更大芯片要多片级连
3.3/5v 自动选择（可在软件中设定）
8 脚 DIP
EPC2 （可重复擦写）
2M bits
10K/1K/20K100以下，更大芯片要多片级连
3.3/5v 管脚控制（请查阅数据手册）
20 脚 PLCC
EPC8 （可重复擦写）
8M bits
TQFP
EPC16（可重复擦写）
16M bits
88 脚 BGA
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