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电子电路系列—MOS管精讲 电子基础知识

电子电路系列—MOS管精讲

    MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体...
2020年02月17日  电子电路系列—MOS管精讲已关闭评论
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增强型和耗尽型场效应晶体管
电子基础知识

增强型和耗尽型场效应晶体管

    总的来说,场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两...
2020年02月17日  增强型和耗尽型场效应晶体管已关闭评论
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电子元件分析:MOS管击穿的原因
电子基础知识

电子元件分析:MOS管击穿的原因

  MOS管被击穿的原因及解决方案如下:   第一、MOS管本身...
2020年02月17日  电子元件分析:MOS管击穿的原因已关闭评论
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MOSFET选择策略详解
电子基础知识

MOSFET选择策略详解

  在70年代晚期推出MOSFET之前,晶闸管和双极结型晶体管(...
2020年02月17日  MOSFET选择策略详解已关闭评论
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理解MOSFET开关损耗和主导参数 电子基础知识

理解MOSFET开关损耗和主导参数

本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通...
2020年02月17日  理解MOSFET开关损耗和主导参数已关闭评论
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Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻 电子基础知识

Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 11 月29 ...
2020年02月17日  Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻已关闭评论
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Vishay推出应用在便携电子中的最低导通电阻的新款MOSFET 电子基础知识

Vishay推出应用在便携电子中的最低导通电阻的新款MOSFET

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 4 月29 日...
2020年02月17日  Vishay推出应用在便携电子中的最低导通电阻的新款MOSFET已关闭评论
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东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管
电子基础知识

东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管

  东京—东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布面向超低功率微...
2020年02月17日  东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管已关闭评论
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东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列
电子基础知识

东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列

  通过采用DMOS FET 型输出驱动器来扩大高效晶体管阵列阵...
2020年02月17日  东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列已关闭评论
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台积电采用Cadence的FinFET单元库特性分析解决方案
电子基础知识

台积电采用Cadence的FinFET单元库特性分析解决方案

  • 输出单元库符合台积电对16纳米FinFET STA关联性...
2020年02月17日  台积电采用Cadence的FinFET单元库特性分析解决方案已关闭评论
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