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人工智能 ROHM开发出第5代SiC MOSFET,高温下导通电阻可降低约30%! 中国上海,2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(... 2026年04月22日 ROHM开发出第5代SiC MOSFET,高温下导通电阻可降低约30%!已关闭评论 阅读全文
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