并实现了更高的功率密度。
采用具有开关损耗的sic mosfet可确保高达1000v的直流母线电压和更低的开关损耗，
峰值效率达到99％。
该设计可配置为两电平或三电平逆变器。
该系统由单个c2000微控制器（mcu）tms320f28379d控制，
可在所有工作模式下为所有电力电子开关设备生成pwm波形。
特征
额定标称/最大输入 10kva输出功率，
400vac 50 / 60hz并网连接
工作功率因数范围从0.7lag到0.7lead
基于高压（1200v）sicmosfet的全桥逆变器，
峰值效率达到99％
满载时<2％输出电流thd
使用amc1301进行隔离电流检测，
用于负载电流监控
隔离驱动器iso5852s，
带增强隔离，
用于驱动高压sic mosfet和ucc5320s，
用于驱动中间si igbt（素材来源：texas instruments. 如涉版权问题请及时联系删除，）
