在纽伦堡，cissoid还展示了最新的碳化硅mosfet器件和igbt功率模块。一款新型分立式1200v/40mohms碳化硅mosfet晶体管已可供货，其采用to-247封装，可以在-55°c至175°c的温度范围内正常工作。该mosfet在25°c(结温)时，漏极到源极导通电阻是40mohms，在175°c(结温)时，导通电阻是75mohms。很低的开关导通和关断能量(分别为1mj和0.4mj)使该器件成为高效紧凑的dc-dc转换器、功率逆变器和电池充电器的理想选择。cissoid公司还展示了两款额定电流分别为200a和300a的62mm 1200v igbt功率sra2202sf模块。
cissoid还在致力于研发碳化硅mosfet功率模块，并将在未来几个月推出。“这些新产品表明cissoid致力于提供全面的基于碳化硅的解决方案，包括晶体管、模块和栅极驱动器，以支持行业在新型电动汽车和可再生能源应用中使用高效、轻便、紧凑的功率转换产品，”cissoid首席执行官dave hutton先生表示。“我们正与整车厂和汽车零部件供应商密切合作，为新型碳化硅功率逆变器在新能源汽车中的应用定制栅极驱动器。”他补充道。/http://xiangxing.51dzw.com
各行业所需高温半导体解决方案的领导者cissoid，在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(pcim 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(sic)mosfet器件和igbt功率模块。pcim 2019是全球领先的电力电子、智能传动、可再生能源和能源管理展览及会议。（文章出自：cissoid.com）
