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东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率 人工智能

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中国上海,2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社...
2026年05月21日  东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率已关闭评论
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-40℃ ~ 125℃宽温工作,在恶劣环境中监测振动 2026 ...
2026年05月19日  意法半导体宽带三轴振动传感器,为工业和汽车系统节省空间,降低功耗,优化物料清单已关闭评论
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Vishay PAR和TRANSZORB TVS采用新的DFN6546A超薄封装实现3000 W功率耗散 人工智能

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这些单向和双向器件采用0.88 mm的薄形设计,并具有易于吸附焊...
2026年05月19日  Vishay PAR和TRANSZORB TVS采用新的DFN6546A超薄封装实现3000 W功率耗散已关闭评论
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