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东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率

中国上海,2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社...
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VETH100A1DD1符合 OPEN Alliance关于静电...
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摘要 碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等...
2026年05月15日  碳化硅赋能浪潮教程:SiC JFET驱动工业与服务器电源革新已关闭评论
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