人工智能 东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率 中国上海,2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社... 2026年05月21日 东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率已关闭评论 阅读全文
今日关注 Vishay ESD静电保护二极管通过IEEE 10BASE-T1S合规性测试 VETH100A1DD1符合 OPEN Alliance关于静电... 2026年05月15日 Vishay ESD静电保护二极管通过IEEE 10BASE-T1S合规性测试已关闭评论 阅读全文
AI芯域 碳化硅赋能浪潮教程:SiC JFET驱动工业与服务器电源革新 摘要 碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等... 2026年05月15日 碳化硅赋能浪潮教程:SiC JFET驱动工业与服务器电源革新已关闭评论 阅读全文
今日关注 东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD™系列IC样品 -集成3相直流无刷电机驱动电路与微控制器,实现小型车载电机的直接... 2026年05月15日 东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD™系列IC样品已关闭评论 阅读全文
今日关注 纳芯微推出固态继电器NSI7117,以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战 全面优化EMI与EMS表现,适配多材料电池壳体带来的严苛电磁环境... 2026年05月13日 纳芯微推出固态继电器NSI7117,以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战已关闭评论 阅读全文
今日关注 Littelfuse推出用于汽车电源保护的高压TPSMC、TPSMD、TP5.0SMDJ瞬态抑制二极管 新型汽车级瞬态抑制二极管可降低BOM成本,同时保护BDU、HVA... 2026年05月13日 Littelfuse推出用于汽车电源保护的高压TPSMC、TPSMD、TP5.0SMDJ瞬态抑制二极管已关闭评论 阅读全文
今日关注 氮化镓+MCU赋能高效OBC:大联大诠鼎与英飞凌共探车载电源新趋势 2026年5月11日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分... 2026年05月11日 氮化镓+MCU赋能高效OBC:大联大诠鼎与英飞凌共探车载电源新趋势已关闭评论 阅读全文
人工智能 东芝发布支持PCIe®6.0与USB4®2.0版等高速差分信号的2:1多路复用器/1:2解复用器开关 -适用于工作温度高达125°C的工业应用- 中国上海,2026年... 2026年05月07日 东芝发布支持PCIe®6.0与USB4®2.0版等高速差分信号的2:1多路复用器/1:2解复用器开关已关闭评论 阅读全文
AI芯域 意法半导体高速GaN驱动器为运动控制与功率转换应用增加智能保护功能 2026年4月30日,中国——意法半导体新推出两款高速半桥栅极驱... 2026年04月30日 意法半导体高速GaN驱动器为运动控制与功率转换应用增加智能保护功能已关闭评论 阅读全文
AI芯域 意法半导体低电阻 MOSFET可节省电能,缩减 PCB面积,适合配电应用 新系列产品采用先进的智能 STripFET F8功率技术,静态性... 2026年04月28日 意法半导体低电阻 MOSFET可节省电能,缩减 PCB面积,适合配电应用已关闭评论 阅读全文